تحلیل و شبیه سازی اینورتر منبع امپدانسی سری تغذیه شده از سیستم های فتوولتائیک

در این پایان نامه، سه ساختار جدید برای مبدل افزاینده-کاهنده z-h پیشنهاد می شود. در ساختار پیشنهادی اول از آرایش سلف کلیدزنی شده در مبدل z-h استفاده می شود. استفاده از سلف کلیدزنی شده منجر به افزایش بهره ی افزایندگی می شود. ساختار دوم مربوط به تعمیم یافته ی ساختار پیشنهادی اول می باشد. بنابراین بسیاری از ویژگی های ذکر شده برای ساختار پیشنهادی اول برای تعمیم یافته ی آن نیز صادق می باشد. در ادامه ساختار پیشنهادی سوم پیشنهاد می شود. در این ساختار از آرایش سلف تپ دار در مبدل z-h استفاده می شود. ساختار پیشنهادی از کلید دو جهته و دو سلول تپ دار که هر کدام شامل دو سلف تزویج و دو دیود می باشد تشکیل شده است. مشابه مبدل منبع امپدانسی z-h مرسوم، در هر سه مبدل پیشنهادی حالت کلیدزنی (st) shoot-through و دیود ماقبل شبکه ی lc حذف می شود. هم چنین این مبدل ها بدون هیچ تغییری در ساختارشان می توانند در انواع تبدیل های dc-dc، dc-ac، ac-dc و ac-ac به کار گرفته شوند. در پایان نتایج شبیه سازی ها در محیط نرم افزار pscad/emtdc به منظور صحت نتایج تئوری جهت اثبات ادعاهای مطرح شده در این پایان نامه ارائه می شوند.